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硅器件伏安特性与高温合格率相关性的研究
硅器件伏安特性与高温合格率相关性的研究
来源 :电力电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:susame1976
【摘 要】
:
研究了硅器件五种典型伏安特性随温度的变化规律及机理,以及特性与高温合格率的相关性,提出了提高合格率的方法。
【作 者】
:
张德贤
张婷婷
【机 构】
:
西安交通大学
【出 处】
:
电力电子技术
【发表日期】
:
1999年3期
【关键词】
:
伏安特性
合格率
高温
硅器件
半导体器件
silicon semiconductor device
VI characteristic
qualified r
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研究了硅器件五种典型伏安特性随温度的变化规律及机理,以及特性与高温合格率的相关性,提出了提高合格率的方法。
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