【摘 要】
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研究了溅射Co/Cu多层膜的磁性及退火处理对薄膜磁性的影响。薄膜的易磁化方向平行于膜面,溅射态和退火态的多层膜在膜面内是各向同性的。随着退火温度T_a的升高,剩磁比M_r/M_
【机 构】
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研究了溅射Co/Cu多层膜的磁性及退火处理对薄膜磁性的影响。薄膜的易磁化方向平行于膜面,溅射态和退火态的多层膜在膜面内是各向同性的。随着退火温度T_a的升高,剩磁比M_r/M_s、饱和磁化场H_s和矫顽力H_c增大,当退火温度高于400℃时,其增大速率变快。实验结果可以用铁磁交换耦合相互作用模型和矫顽力的钉扎机制解释。
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