【摘 要】
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把雪崩电离模型引入受激布里渊散射模型中,数值模拟了无光学击穿和有光学击穿时受激布里渊散射能量反射率随输入光功率密度的变化规律.实验上选取净化和未净化的CCl4作为散射
【机 构】
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哈尔滨工业大学光电子技术研究所,哈尔滨,150001内蒙古民族大学化学学院,通辽,028043;哈尔滨工业大学光电子技术研究所,哈尔滨,150001;
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把雪崩电离模型引入受激布里渊散射模型中,数值模拟了无光学击穿和有光学击穿时受激布里渊散射能量反射率随输入光功率密度的变化规律.实验上选取净化和未净化的CCl4作为散射介质,在Nd:YAG调Q激光系统中进行了验证,理论与实验符合得很好.结果表明:当无光学击穿时,随着输入光功率密度的增大,能量反射率先是非线性增大,然后缓慢增大趋于饱和;而当有光学击穿时,随着输入光功率密度的增大,能量反射率先是非线性增大,达到最高值之后开始下降,最终趋于零.无光学击穿时的能量反射率及其稳定度明显高于有光学击穿时的情况.
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