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研究了AlGaN／GaN HEMT制备中相关工艺对器件肖特基特性的影响，并对工艺进行了优化。首先研究了表面处理对器件肖特基势垒特性的影响，对不同的表面处理方法进行了比较，发现采用氧等离子体处理，并用V（HF）：V（H2O）=1：5溶液清洗刻蚀后的表面，可以有效减小表面态密度，未经处理的样品肖特基接触理想因子为2．6，处理后理想因子减小到1．8。对SiN钝化膜的折射率与肖特基特性的关系进行了研究，发现SiN钝化膜的折射率为2．3～2．4时，钝化对肖特基特性的影响较小，但反向泄漏电流较大。