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采用磁控共溅射法制备含钨1.51％～14．20％（原子分数，下同）的Cu-W合金薄膜，并用EDX、XRD、SEM、显微硬度仪和电阻仪研究了其成分、结构及性能。结果表明，添加W可显著细化Cu-W薄膜基体相晶粒，晶粒尺寸随W含量的增加而减小，Cu-W薄膜呈纳米晶结构。Cu-W薄膜中存在W在Cu中形成的fcc Cu（W）非平衡亚稳过饱和目溶体，固溶度随W含量的增加而提高，最大值为10．65％。与纯Cu膜对比发现，薄膜的显微硬度和电阻率总体上随W含量的增加而显著增大。经200℃、400℃及650℃热处理1h后，C