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采用化学水浴沉积法制备了半导体薄膜硫化镉（CdS）太阳能电池材料，对影响成膜的因素以及薄膜的结构和光学性能进行了初步测试研究。结果表明，反应溶液的pH值以及薄膜的退火温度是影响成膜的重要因素。实验中pH值范围控制在10．5—10．8之间，最佳退火温度为400℃。另外退火时滴加CdCl2溶液并将其涂抹于薄膜表面，可以使薄膜在可见光范围的透过率得到进一步的提高。