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从理论上研究了电子-声子相互作用对Morse势阱中光整流效应的影响。利用微扰论的方法求解在考虑电子．声子相互作用时Morse量子阱的波函数和能级，采用密度矩阵方法和迭代法得到光整流系数，以典型的GaAs／AlGaAs Morse势阱为例进行数值计算。数值结果表明在考虑电子-声子相互作用后，获得的光整流系数比仅考虑电子情况的大15％-30％左右。并且电子-声子相互作用使光整流系数峰值向高能方向偏移。因此要得到比较精确的结果，有必要考虑电子-声子相互作用的影响。