【摘 要】
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研究了不同反射层封装方式和与Si-PM不同耦合方式对Ce:GAGG和CsI(Tl)闪烁晶体光输出和能量分辨率的影响,比较了Ce:GAGG和CsI(Tl)闪烁晶体的透过率和衰减时间.实验结果表明:通过优化闪烁晶体的反射层材料和耦合方式,能大幅度提高Ce:GAGG和CsI(Tl)闪烁晶体的光收集效率;Ce:GAGG闪烁晶体的光输出、能量分辨率、透过率、衰减时间指标均优于CsI(Tl)闪烁晶体.Ce:GAGG闪烁晶体使用TiO2反射层材料封装和硅脂耦合,测试得到137 Cs放射源在662 keV最佳能量分辨率为
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十六研究所,重庆 400060
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研究了不同反射层封装方式和与Si-PM不同耦合方式对Ce:GAGG和CsI(Tl)闪烁晶体光输出和能量分辨率的影响,比较了Ce:GAGG和CsI(Tl)闪烁晶体的透过率和衰减时间.实验结果表明:通过优化闪烁晶体的反射层材料和耦合方式,能大幅度提高Ce:GAGG和CsI(Tl)闪烁晶体的光收集效率;Ce:GAGG闪烁晶体的光输出、能量分辨率、透过率、衰减时间指标均优于CsI(Tl)闪烁晶体.Ce:GAGG闪烁晶体使用TiO2反射层材料封装和硅脂耦合,测试得到137 Cs放射源在662 keV最佳能量分辨率为4.89％.
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