Ce:YIG磁光薄膜电子结构的计算

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【摘要】

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采用DV-Xα方法计算了YIG、Bi-YIG及Ce-YIG磁光薄膜的电子结构,在能态密度的基础上,得出了导致磁光效应的两种电荷转移跃迁.对Ce3+的掺入,极大地增大了跃迁的振子强度;Ce5d、

【作者】

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胡华安王坚红段志云何华辉

【机构】

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军事经济学院,华中理工大学

【出处】

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功能材料

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

DV-Xα方法 YIG磁光薄膜磁光效应

【基金项目】

：

国家自然科学基金;

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采用DV-Xα方法计算了YIG、Bi-YIG及Ce-YIG磁光薄膜的电子结构,在能态密度的基础上,得出了导致磁光效应的两种电荷转移跃迁.对Ce3+的掺入,极大地增大了跃迁的振子强度;Ce5d、Ce4f与Fe3d形成具有较大自旋一轨道相互作用的耦合轨道;Ce3+的掺入产生了新的跃迁,它们是Ce-YIG的磁光效应增大的原因.

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