【摘 要】
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采用溶液化学方法制备了Er^3＋掺杂浓度为1at%的Er∶GaN微纳米晶材料。对退火前后材料的结构、形貌和发光性能进行了表征。结果表明：Er∶GaN微纳米晶样品为纯的六方GaN相。退火
【机 构】
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苏州科技学院物理科学与技术系,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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采用溶液化学方法制备了Er^3＋掺杂浓度为1at%的Er∶GaN微纳米晶材料。对退火前后材料的结构、形貌和发光性能进行了表征。结果表明：Er∶GaN微纳米晶样品为纯的六方GaN相。退火后出现晶粒长大现象,且氧含量降低,微纳米晶的结晶质量变好。退火处理后出现了Er^3＋相关的524 nm和547 nm的绿光峰,660 nm的红光峰。在980 nm激发下,在Yb,Er∶GaN微纳米晶样品中实现了上转换荧光发射,并观察到了和Er∶GaN微纳米晶相同的发光峰。
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