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利用MCNP程序对影锥屏蔽体的屏蔽性能进行计算和深入分析。结果表明：影锥屏蔽体对于周围及样品造成的散射中子本底影响低于1．4％。中子穿透影锥屏蔽体而产生的γ射线泄漏率为10^-18～10^-14数量级，对于中子散射微分截面的实验测量，其影响可以忽略不计。W-Cu合金影锥屏蔽体的设计模型符合设计标准，就飞行距离为4～10m的范围而言，影锥屏蔽体可使源中子注量衰减10^-7，屏蔽效果显著。