【摘 要】
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为了对双边布拉格反射波导半导体激光器的远场双瓣特性进行整形,使之合并成为单瓣出光远场,在布拉格反射波导的出光腔面上制作了表面等离子体双光栅结构.利用Au-SiO2光栅结构
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及其应用国家重点实验室,中国科学院大学,东北师范大学
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为了对双边布拉格反射波导半导体激光器的远场双瓣特性进行整形,使之合并成为单瓣出光远场,在布拉格反射波导的出光腔面上制作了表面等离子体双光栅结构.利用Au-SiO2光栅结构对表面等离子体的耦合效应和表面等离子体的透射增强现象将双瓣远场耦合成为单瓣出射,然后通过Au-Si3N4光栅结构将透射的表面等离子体耦合成为光子进行准直出射,最终得到单瓣准直的远场光斑.计算结果表明：当Au-SiO2光栅厚度为50 nm,填充因子为0.5,光栅周期为350 nm;Au Si3N4光栅厚度为70 nm,填充因子为0.5,光栅
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