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介绍了晶闸管器件的通态电流上升率di/dt参数及其损坏晶闸管器件的机理 ,并进一步介绍了提高晶闸管器件的通态di/dt耐量的设计和工艺方法 ,及应用过程中限制晶闸管阳极电路的电流上升率 ,保护晶闸管器件的方法
提高晶闸管器件对di/dt的耐受能力的途径
【摘 要】
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介绍了晶闸管器件的通态电流上升率di/dt参数及其损坏晶闸管器件的机理 ,并进一步介绍了提高晶闸管器件的通态di/dt耐量的设计和工艺方法 ,及应用过程中限制晶闸管阳极电路的
【机 构】
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齐齐哈尔电力半导体器件厂
【出 处】
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信息技术
【发表日期】
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2002年09期
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