【摘 要】
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利用磁控溅射技术在单晶Si衬底上沉积了SiNx非晶薄膜。样品的傅里叶变换红外吸收光谱（FTIR）显示,SiNx非晶薄膜在812～892cm^-1范围内存在一个较强的吸收谱带。该吸收谱带对应于Si
【基金项目】
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国家“973”计划项目(2003CB314707);国家自然科学基金项目(60577022,10434030);教育部留学回国人员基金项目(2005383);北京交通大学科技基金项目(2004SM049)资助
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利用磁控溅射技术在单晶Si衬底上沉积了SiNx非晶薄膜。样品的傅里叶变换红外吸收光谱（FTIR）显示,SiNx非晶薄膜在812～892cm^-1范围内存在一个较强的吸收谱带。该吸收谱带对应于Si—N—Si键的伸缩振动吸收（Stretching vibration mode）,其吸收峰峰位随着溅射功率的增大明显红移;但退火后,该吸收峰又逐渐蓝移。结合中心力模型和自由结合模型,分析了磁控溅射过程中SiNx非晶薄膜的生长机制和内部结构。研究认为,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-N4四面体,Si—N—Si
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