【摘 要】
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激光分子束外延（LaserMBE）集PLD方法的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体，不仅可以生长通常的半导体超晶格材料，尤其适于制备多元素、高
【机 构】
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中国科学院物理研究所光物理实验室和中国科学院凝聚态物理中心!北京，100080,中国科学院物理研究所光物理实验室和中国科学院凝聚态物理中心!北京，100080,中国科学院物理研究所光物理实验室和中国科
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激光分子束外延（LaserMBE）集PLD方法的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体，不仅可以生长通常的半导体超晶格材料，尤其适于制备多元素、高熔点、复杂层次结构，如超导体、光学晶体、铁电体、田电体、铁磁体以及有机高分子等薄膜，同
The laser-induced molecular beam epitaxy (LaserMBE) set of PLD method and the MBE ultra-high vacuum precision control of atomic scale epitaxial growth in situ real-time monitoring as a whole, not only can grow the usual semiconductor superlattice material, especially for the preparation Multi-element, high melting point, complex hierarchy, such as superconductors, optical crystals, ferroelectrics, field power, ferromagnetic and organic polymer films,
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