电弧离子镀/磁控溅射复合真空退火制备Ti2AlC涂层

来源 :电镀与涂饰 | 被引量 : 0次 | 上传用户：johnlu888

【摘要】

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采用自主研发的大弧源技术,复合中频磁控溅射石墨靶,避免H元素的引入,在锆合金表面快速沉积了致密、超厚(约20μm)的Ti-Al-C涂层.经过不同温度(550、650、750和850℃)和时间(

【作者】

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胡小刚董闯杨红艳张瑞谦

【机构】

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三束材料改性教育部重点实验室,反应堆燃料及材料重点实验室

【出处】

：

电镀与涂饰

【发表日期】

：

2019年21期

【关键词】

：

碳化铝钛金属陶瓷电弧离子镀磁控溅射真空退火温度微观结构 titanium aluminum carbidecermetarc ion plating

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采用自主研发的大弧源技术,复合中频磁控溅射石墨靶,避免H元素的引入,在锆合金表面快速沉积了致密、超厚(约20μm)的Ti-Al-C涂层.经过不同温度(550、650、750和850℃)和时间(1、2和3 h)的真空退火后发现,至少在650℃才能获得Ti2AlC结构,更高的温度会加速Ti2AlC的生成.高温沉积对制备Ti2AlC相涂层而言是必备的.

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