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以方势垒描述绝缘层,考虑正常金属区域的杂质散射,运用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,对正常金属/绝缘层/s波超导隧道结(NIS结)中的隧道谱作进一步研究.研究表明:(1) 在U0>EF的情况下,微分电导随绝缘层宽度的增加而衰减,偏压不同,衰减的程度不同;(2) 衰减能压低能隙电导峰;(3) 较小的杂质散射即能在隧道谱的零偏压凹陷峰中感应出一小峰.