【摘 要】
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利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察了循环变形饱和阶段Cu单晶样品中近表面区域的位错微结构.在样品边缘一些条带状或斑点状呈黑色的位错组织区,利用离散位错动力学
【机 构】
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沈阳师范大学物理科学与技术学院,CentreforAdvancedMaterialsTechnology（CAMT）,中国科学院金属研究所
【基金项目】
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SupportedbyAustralianResearchCouncilthroughaLargeResearchSchemeGrant(A10009166)
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利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察了循环变形饱和阶段Cu单晶样品中近表面区域的位错微结构.在样品边缘一些条带状或斑点状呈黑色的位错组织区,利用离散位错动力学方法模拟了该区的位错微观结构,并计算了与此位错微结构相对应的内应力分布.模拟和计算结果表明,黑色区是内应力出现最大值区,即应力集中区,它与驻留滑移带(PSB)中的不均匀变形有关,是疲劳裂纹萌生最可能的位置.模拟和计算结果很好地解释了这一现象.
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