论文部分内容阅读
在激光灼蚀(PLD)系统中,采用流动的N2作为环境气体成功制备了尺寸从2纳米到几纳米之间的纳米硅,并在1.60～1.75 eV之间观测到了较强的光致发光谱:结合Raman散射和光致发光谱的分析,推断强光致发光来源于纳米硅的量子效应.
激光灼蚀形成纳米硅的光致发光谱研究
【摘 要】
：
在激光灼蚀(PLD)系统中,采用流动的N2作为环境气体成功制备了尺寸从2纳米到几纳米之间的纳米硅,并在1.60～1.75 eV之间观测到了较强的光致发光谱:结合Raman散射和光致发光谱的
【机 构】
：
厦门大学物理系,厦门大学化学系
【出 处】
：
固体电子学研究与进展
【发表日期】
：
2005年4期
其他文献
<正>获得性免疫缺陷综合征并血小板减少症较常见,其诊断标准各异,Sullivan等[1]认为获得性免疫缺陷综合征并血小板减少症的发生率是9%～37%不等,老年人、白种人、男性、有静脉
随着人们生活质量的提高，尤其是女性患者对于手术质量，手术切口的美观提出了更高的要求，腹腔镜手术具有具有切口小，损伤少，出血少，并发症发生率低，患者恢复快，住院时间短，术后伤口恢复
报道了一种适于模拟n沟4H-SiC MOSFET直流I-V特性的整体模型.该模型充分考虑了常温下SiC中杂质不完全离化以及界面态电荷在禁带中不均匀分布的影响,通过解析求解泊松方程以及
用Raman谱和AES能谱分析了用RTP/VLP-CVD方法生长在Si衬底上的SiGeC合金外延薄膜的应变.结果表明:用RTP/VLP-CVD方法生长的SiGeC合金中掺入的C呈间隙原子或替位原子的形式分