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采用化学气相沉积（CVD）的方法合成了In掺杂ZnO纳米带，并且用简单、廉价的微栅模板法为单根纳米带制作了微电极，研究了在室温到20K低温范围内单根In掺杂ZnO纳米带电阻随温度的变化．结果表明，在140～290K区间单根ZnO：In纳米带电子输运机制符合热激活输运机制．
低温下单根In掺杂ZnO纳米带电学性质的研究
【摘 要】
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采用化学气相沉积（CVD）的方法合成了In掺杂ZnO纳米带，并且用简单、廉价的微栅模板法为单根纳米带制作了微电极，研究了在室温到20K低温范围内单根In掺杂ZnO纳米带电阻随温度的变化
【机 构】
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哈尔滨师范大学
【出 处】
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哈尔滨师范大学自然科学学报
【发表日期】
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2012年6期
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