GaInAsSb／GaSb红外探测器抗反膜的研究

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：txl8909

【摘要】

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简单介绍了单层抗反膜的增透原理,并以Si片作为基片采用磁控溅射的方法制备了Al2O3、SiO2和ZrO2三种抗反膜.膜层的反射率测试结果表明:生长ZrO2膜后表面反射率下降可达30%;同

【作者】

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刘延祥夏冠群唐绍裘李志怀程宗权

【机构】

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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,湖南大学材料科学与工程学院

【出处】

：

功能材料与器件学报

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

：

抗反膜 GAINASSB/GASB 反射率I-V 黑体探测率 antireflection coating GaInAsSb/GaSb reflectance

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简单介绍了单层抗反膜的增透原理,并以Si片作为基片采用磁控溅射的方法制备了Al2O3、SiO2和ZrO2三种抗反膜.膜层的反射率测试结果表明:生长ZrO2膜后表面反射率下降可达30%;同时通过对GaInAsSb/GaSb PIN 红外探测器蒸镀抗反膜前后的器件的I-V特性及黑体探测率的测试表明:蒸镀ZrO2膜后GaInAsSb/GaSb PIN 红外探测器的黑体探测率平均提高了60.28%,远大于蒸镀Al2O3、SiO2后的48.91%和40.04%,说明ZrO2膜是一种较理想的单层抗反膜,使器件性能有所

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