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随着大格式InSbFPA器件发展，像元间距越来越小，芯片总面积不断增加，对像元加工精度和均匀性都提出了极高的要求，原有的湿法刻蚀已越来越难于满足工艺要求，主要体现在湿法横向刻蚀导致原本设计很小的像元面积进一步缩小，严重降低InSbFPA的填充因子。通过实验，介绍一种湿法刻蚀工艺，可以较好解决上述问题。