【摘 要】
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提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB-LD集成器件(EML)耦合效率的对接生长方法.采用LP-MOCVD外延方法,制作了对接方法不同的三种样片,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面
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提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB-LD集成器件(EML)耦合效率的对接生长方法.采用LP-MOCVD外延方法,制作了对接方法不同的三种样片,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌,发现新对接结构的样片具有更好的对接界面.制作出相应的三种EML管芯,从测量所得到的出光功率特性曲线,计算出不同对接方法下EML管芯的耦合效率和外量子效率.实验结果表明,这种对接生长方案,可以获得光滑的对接界面,显著提高了激光器和调制器之间的耦合效率(从常规的17%提高到78%)及EML器件的外量子效率(从0.03mW/mA提高到0.15mW/mA).
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