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利用各向异性腐蚀和键合工艺,提出了一种新的自停止腐蚀方法,该方法可以得到大于1μm厚的均匀硅膜,可用于微传感器研制。
用〈111〉硅的自停止腐蚀方法制作硅膜
【摘 要】
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利用各向异性腐蚀和键合工艺,提出了一种新的自停止腐蚀方法,该方法可以得到大于1μm厚的均匀硅膜,可用于微传感器研制。
【机 构】
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东南大学微电子中心,东南大学微电子中心
【出 处】
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传感器技术
【发表日期】
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1994年2期
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