【摘 要】
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LDMOS器件广泛应用于高压集成电路芯片中,由于常作为功率开关来使用,其主要的性能指标为击穿电压(VB)与比导通电阻(RON,sp)。然而,VB与RON,sp均强烈受制于漂移区长度及掺杂浓
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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LDMOS器件广泛应用于高压集成电路芯片中,由于常作为功率开关来使用,其主要的性能指标为击穿电压(VB)与比导通电阻(RON,sp)。然而,VB与RON,sp均强烈受制于漂移区长度及掺杂浓度,因此存在固有的矛盾关系。Triple RESURF技术被广泛使用于优化器件VB与RON,sp之间的矛盾关系。基于传统Triple RESURF技术,提出了一种新型Triple RESURF LDMOS结构,即在P-buried层的上方和下方引入了高浓度的N型掺杂层。相较于传统结构,该结构器件既可以避免表面杂质浓度较高
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