【摘 要】
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针对红外探测器在空间应用中受到高能粒子辐照后暗电流退化的问题，开展γ射线对中波碲镉汞(HgCdTe)光伏器件暗电流影响的研究。在室温和77 K温度下，利用60Co-γ射线对HgCdTe器件进行辐照试验，辐照试验结束后对低温辐照器件进行77 K低温退火和室温退火。通过比较γ辐照前后和退火后器件的I-V特性、R-V特性和零偏动态电阻R0参数，分析了γ辐照对HgCdTe器件暗电流的影响机制。试验结果表明：在总剂量为7 Mrad(Si)照条件下，器件暗电流未出现明显的退化；在77 K温度辐照条件下，器件暗电流随着
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所，新疆乌鲁木齐830011中国科学院大学，北京100049
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针对红外探测器在空间应用中受到高能粒子辐照后暗电流退化的问题，开展γ射线对中波碲镉汞(HgCdTe)光伏器件暗电流影响的研究。在室温和77 K温度下，利用60Co-γ射线对HgCdTe器件进行辐照试验，辐照试验结束后对低温辐照器件进行77 K低温退火和室温退火。通过比较γ辐照前后和退火后器件的I-V特性、R-V特性和零偏动态电阻R0参数，分析了γ辐照对HgCdTe器件暗电流的影响机制。试验结果表明：在总剂量为7 Mrad(Si)照条件下，器件暗电流未出现明显的退化；在77 K温度辐照条件下，器件暗电流随着总剂量的增加而增加，且暗电流退化幅度与辐照过程中的偏置有关。研究表明暗电流的退化源于γ辐照在器件中造成电离损伤，导致器件HgCdTe化层中的界面态和空穴陷阱电荷密度增加。
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1976年6月27日到7月2日在美国的圣巴巴拉市召开了关于等离子体物理的戈登会议，笔者也得到了出席的机会。其后7月7日到7月10日在拉森山国家公园召开了激光产生等离子体的传输过程会议，笔者也参加了这次会议。两次会议的情况将由其他文章报告，本文从略。会议之后巡回了美国各地，访问了激光核聚变的研究所。它们是劳伦斯利弗莫尔实验室，散迪厄实验室，洛斯·阿拉莫斯实验室，罗切斯特大学，KMS聚变公司。本文将报告在这些研究所的见闻。
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