【摘 要】
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在模拟器件工艺用“OS”法检测CZ硅单晶中旋涡缺陷时,常有雾状缺陷的干扰。本文对雾状缺陷的分布形态及产生原因作了初步研究。为了消除这种干扰,提出了硅片经1100℃水汽氧化
【机 构】
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上海市测试技术研究所,上海市测试技术研究所,上海市测试技术研究所,上海市测试技术研究所,上海轻工电子材料厂,
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在模拟器件工艺用“OS”法检测CZ硅单晶中旋涡缺陷时,常有雾状缺陷的干扰。本文对雾状缺陷的分布形态及产生原因作了初步研究。为了消除这种干扰,提出了硅片经1100℃水汽氧化,HF去氧化层后,进行加热择优腐蚀的工艺。认为深腐蚀检测旋涡更为合理。
In the process of analog devices using the “OS” method to detect vortex vortex silicon defects in CZ silicon often have the haze interference. This article made a preliminary study on the distribution of the haze defects and their causes. In order to eliminate this kind of interference, we propose a process of heating and preferentially etching the silicon wafer after it has been oxidized by water vapor at 1100 ℃ and deoxidized by HF. It is more reasonable to consider the deep-eddy test vortex.
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On October 11, 1963