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采用电化学腐蚀法制备多孔硅(PS),测量了多孔硅在近红外光(800nm)激发下的光致发光(PL)谱和光致发光激发(PLE)谱,结果表明多孔硅具有良好的上转换荧光特性,并随着存放时间的延长,在一定期限内峰值强度有明显的增强。这种非线性光学响应的增强,被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激子被激发有关,光致发光谱的多峰结构表明多孔硅中存在多种发光中心。用量子限制/发光中心模型可以解释本实验结果。