论文部分内容阅读
描述了一种用综合性方法设计的亚50nm自对准双栅MOSFET，该结构能够在改进的主流CMOS技术上实现。在这种方法下，由于各种因素的影响，双栅器件的栅长、硅岛厚度呈现出不同的缩减限制。同时，侧面绝缘层在器件漏电流和电路速度上表现出特有的宽度效应。建立了关于这种效应的模型，并提供了相关的设计指导。另外，还讨论了一种新型的沟道掺杂设计，命名为SCD。利用SCD的DG器件能够在体反模式和阈值控制间取得较好的平衡。最后，总结了制作一个SADG MOSFET的指导原则。