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针对Ｓｉ上生长ＢＳＣＣＯ薄膜所出现的问题，通过比较分析几种适合超导薄膜生长和氧化物薄膜衬底后，认为在两者之间选取合适的缓冲层ＹＳＺ可有效减小失配的互反应。详细介绍了磁控溅射ＹＳＺ膜的工艺，给出了实验结果。
Si上生长BSCCO超导薄膜的缓冲层选取及制备
【摘 要】
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针对Ｓｉ上生长ＢＳＣＣＯ薄膜所出现的问题，通过比较分析几种适合超导薄膜生长和氧化物薄膜衬底后，认为在两者之间选取合适的缓冲层ＹＳＺ可有效减小失配的互反应。详细介绍了磁控溅射ＹＳＺ膜的工艺，给出
【机 构】
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东南大学物理系
【出 处】
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低温与超导
【发表日期】
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1997年4期
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