【摘 要】
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Cadmium selenide(CdSe)belongs to the binary Ⅱ-Ⅵ group semiconductor with a direct bandgap of～1.7 eV.The suitable bandgap,high stability,and low manufacturing cost make CdSe an extraordinary candidate as the top cell material in silicon-based tandem solar
【机 构】
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Sargent Joint Research Center,Wuhan National Laboratory for Optoelectronics(WNLO),School of Optical
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Cadmium selenide(CdSe)belongs to the binary Ⅱ-Ⅵ group semiconductor with a direct bandgap of～1.7 eV.The suitable bandgap,high stability,and low manufacturing cost make CdSe an extraordinary candidate as the top cell material in silicon-based tandem solar cells.However,only a few studies have focused on CdSe thin-film solar cells in the past decades.With the advantages of a high deposition rate(～2 μm/min)and high uniformity,rapid thermal evaporation(RTE)was used to maximize the use efficiency of CdSe source material.A stable and pure hexagonal phase CdSe thin film with a large grain size was achieved.The CdSe film demonstrated a 1.72 eV bandgap,narrow photoluminescence peak,and fast photoresponse.With the optimal device structure and film thickness,we finally achieved a preliminary efficiency of 1.88％for CdSe thin-film solar cells,suggesting the applicability of CdSe thin-film solar cells.
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