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采用量子力学研究了Alloy 690中可能含有的氧化膜的半导体性质,并用Mott-Schottky曲线研究了在含有氯离子的介质中氧化膜半导体特性的变化规律。结果表明：Alloy 690中的主要氧化物Cr2O3、Ni O均为间隙半导体,带隙宽度分别为1.345 75、1.479 87e V;在溶液中加入侵蚀性离子Cl-后,合金表面形成具有双极性的n-p型膜,电容明显增大;钝化膜中含有很多金属离子空缺和氧空缺,表明施主或受主浓度增大。这些缺陷会使膜的动态平衡受到破坏,导致钝化膜易发生穿透性破裂而诱发局部腐蚀。