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运用二维器件模拟器ISETCAD对4H—SiCMESFET不同结构的直流特性进行了模拟，重点考虑表面陷阱对直流特性的影响。与凹栅结构相比，埋栅结构的器件降低了表面陷阱对电流的影响，饱和漏电流提高了37％，而且阈值电压的绝对值增大、跨导升高，对提高4H—SiCMES—FET器件的输出功率起到一定的作用。