论文部分内容阅读
系统研究在空气气氛下热处理温度对真空蒸发法制备Au／CdZnTe电极接触特性的影响。结果表明，在353-373K温度范围内进行热处理可以获得更优化的电极接触性能，测试得到电极与CdznTe接触势垒较低，接触电阻较小，欧姆系数最佳，并且不会破坏CdZnTe体材料本身的性能。而当热处理温度高于400K时，Au电极沉积表面形貌明显变差，CdZnTe样品的漏电流大幅增加。这可能是由于随着热处理温度的增加，CdZnTe体材料表面的Cd升华加剧，产生大量的Cd空位引起的。