【摘 要】
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在不同温度下,利用射频等离子体增强型MOCVD系统,在蓝宝石C面上生长出了C轴单一取向的ZnO薄膜,并通过XRD、SEM手段对生长温度与样品的生长速度、表面结构和氧锌原子化学计量
【机 构】
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吉林大学电子工程系光电子联合重点实验室,吉林大学电子工程系光电子联合重点实验室,吉林大学电子工程系光电子联合重点实验室,吉林大学电子工程系光电子联合重点实验室,吉林大学电子工程系光电子联合重点实验室,
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在不同温度下,利用射频等离子体增强型MOCVD系统,在蓝宝石C面上生长出了C轴单一取向的ZnO薄膜,并通过XRD、SEM手段对生长温度与样品的生长速度、表面结构和氧锌原子化学计量比的关系作了较为详细的研究,优化了薄膜的温度生长参数。当生长温度为520oC时,ZnO薄膜的生长速度最大且表面粗糙度较低。当温度为550oC时,可生长出O:Zn为49.99:50:01的近本征ZnO薄膜。
At different temperatures, a single-oriented C-axis ZnO thin film was grown on the C-plane of sapphire by RF plasma-enhanced MOCVD system. The growth temperature and the growth rate of samples, the surface structure and the content of zinc oxide Atomic stoichiometry of the relationship between a more detailed study, optimizing the film temperature growth parameters. When the growth temperature is 520oC, the growth rate of ZnO films is the largest and the surface roughness is low. When the temperature is 550oC, near-intrinsic ZnO thin films with O: Zn of 49.99: 50: 01 can be grown.
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