【摘 要】
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An optimal concentration of the etching solution for deep etching of silicon, including 3% tetramethyl ammonium hydroxide and 0.3% (NH4)2S2O8, was achieved in t
【机 构】
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State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of Semiconductors, Chinese Academy of S
【出 处】
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Chinese Journal of Chemical Engineering
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An optimal concentration of the etching solution for deep etching of silicon, including 3% tetramethyl ammonium hydroxide and 0.3% (NH4)2S2O8, was achieved in this paper. For this etching solution, the etching rates of silicon and silicon dioxide were about 1.1μm·min-1 and 0.5nm·min-1, respectively. The etching ratio between (100) and (111) planes was about 34:1, and the etched surface was very smooth.
An optimal concentration of the etching solution for deep etching of silicon, including 3% tetramethyl ammonium hydroxide and 0.3% (NH4) 2S2O8, was achieved in this paper. For etching solutions of silicon and silicon dioxide were about 1.1 μm · Min-1 and 0.5nm · min-1, respectively. The etching ratio between (100) and (111) planes was about 34: 1, and the etched surface was very smooth.
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