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采用磁控溅射工艺在单晶Si〈111〉衬底上制备300nm厚的Cu膜，用原子力显微镜（AFM）观察薄膜表面形貌，研究工艺参数对Cu膜表面形貌的影响。结果表明：随着沉积温度、溅射功率及偏压的变化，Cu膜表面粗糙度历经了不同的演化过程。沉积粒子的扩散和晶粒生长之间的竞争决定了薄膜表面演化。
磁控溅射Cu膜的表面形貌演化研究
【摘 要】
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采用磁控溅射工艺在单晶Si〈111〉衬底上制备300nm厚的Cu膜，用原子力显微镜（AFM）观察薄膜表面形貌，研究工艺参数对Cu膜表面形貌的影响。结果表明：随着沉积温度、溅射功率及偏压的
【机 构】
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兰州城市学院物理与工程技术学院,中国空间技术研究院兰州物理研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2007年2期
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