【摘 要】
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针对LTE MTC蜂窝物联网通信下的应用场景,本文给出了一种基于TSMC 65 nm CMOS LP工艺设计的AB类线性功率放大器。为达到一定的功率增益要求,采用两级级联结构,包括驱动级和功
【机 构】
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东南大学微电子学院,东南大学信息科学与工程学院
【基金项目】
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江苏省研究生创新工程项目(SJCX18_0057),国家电网科技项目(SGTYHT/17-JS-201)
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针对LTE MTC蜂窝物联网通信下的应用场景,本文给出了一种基于TSMC 65 nm CMOS LP工艺设计的AB类线性功率放大器。为达到一定的功率增益要求,采用两级级联结构,包括驱动级和功率级。两级电路均采用差分结构,可以在不提高电源电压的情况下,达到足够的输出功率和线性度,同时还有利于抑制共模噪声,减小寄生参数及键合线电感对电路性能的影响。为了避免晶体管被击穿,同时提高输入输出端口之间的隔离度,两级电路均采用共源共栅(Cascode)结构。后仿真结果表明,电源电压3.3V情况下,功率放大器在1880
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