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以传统电子陶瓷工艺制备了致密性较好的(K0.5Na0.5)NbO3晦瓷。研究了(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷在低频及高频的介电性能。结果表明:在低频和高频,(K0.5Na0.5)NbO3的介电性能随频率的增加而减小;在高频,介电损耗随频率的增加先增加后减小。(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷在高频(8-18GHz)时的介电常数实部,虚部及介电损耗分别为150-—430,5-110和0.07-0.28。