【摘 要】
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等离子体填充能够明显提高真空电子器件的效率和功率,研究等离子体填充器件具有重要的科学价值。本文讨论了填充等离体子的绕射辐射振荡器的高频特性,采用理论分析和PIC模拟
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等离子体填充能够明显提高真空电子器件的效率和功率,研究等离子体填充器件具有重要的科学价值。本文讨论了填充等离体子的绕射辐射振荡器的高频特性,采用理论分析和PIC模拟相结合的方法对器件的高频特性进行研究。重点研究了等离体子密度、漂移段、反射器三个因素对输出功率的影响。通过理论与模拟相结合,发现合理选择等离子体密度、反射器、漂移段能够大幅提高器件输出功率和效率,在背景等离子体密度变化过程中,存在一峰值功率点,反射器与漂移段的共同作用可提高这一峰值功率点。
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