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报道了不同的铜含量（Cu／（Ga＋In）=0．748～0．982）对cu（In，Ga）se，（CIGS）薄膜微结构的影响．文章中的CIGS薄膜采用磁控溅射金属预置层后硒化的方法制备，其X射线衍射谱（XRD）中一系列黄铜矿结构CIGS（CH-CIGS）相的衍射峰确认了CH-CIGS相的存在．对CIGS薄膜拉曼光谱的分析表明，随着铜含量的上升，CIGS薄膜经历了CH．CIGS和有序缺陷化合物（OVC）混合相、CH-C1GS单相、CH．CIGS和Cu，Se混合相三种状态．进一步的分析显示，CIGS薄膜拉曼峰的半