【摘 要】
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利用不同升温速率的热脱附谱法（TDS）研究了化学气相沉积钨（CVD-W）经70 eV/D、1.3×1025 D/m2的氘离子辐照后,样品中氘的热脱附特性。结果表明:在该实验条件下,CVD-W中氘滞留总量
【机 构】
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表面物理与化学重点实验室; 西华大学; 厦门虹鹭钨铝工业有限公司;
【基金项目】
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国家磁约束核聚变能发展研究专项课题(2015GB109002)
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利用不同升温速率的热脱附谱法（TDS）研究了化学气相沉积钨（CVD-W）经70 eV/D、1.3×1025 D/m2的氘离子辐照后,样品中氘的热脱附特性。结果表明:在该实验条件下,CVD-W中氘滞留总量在1019 D/m2量级;氘的脱附温度区间为400～800 K;脱附总量与升温速率呈负相关,且脱附温度区间会随着升温速率提高而向高温区漂移;CVD-W中氘的主要俘获位为位错或晶界,氘的脱附活化能为0.88 eV,缺陷激活能为0.81 eV。
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