外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响

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【摘要】

：

利用时间分辨Kerr旋光技术测量低温下稀磁半导体Ga0.937Mn0.063As中光注入极化载流子的自旋进动信号,并观察到自旋极化载流子的有效g因子值随外磁场的增强而增大的反常现象.

【作者】

：

Zhou Rong 孙宝权 Ruan Xue-Zhong 甘

【机构】

：

中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

时间分辨Kerr旋光测量 Zeeman效应 Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida模型

【基金项目】

：

国家自然科学基金;

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利用时间分辨Kerr旋光技术测量低温下稀磁半导体Ga0.937Mn0.063As中光注入极化载流子的自旋进动信号,并观察到自旋极化载流子的有效g因子值随外磁场的增强而增大的反常现象.这归结于磁场导致局域化空穴转化为非局域化空穴,从而使自发磁化强度增强,有效g因子值增大.基于此物理图像,进一步给出了(Ga,Mn)As的有效g因子与外磁场的关系式.

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