自组织量子点的形成过程

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【摘要】

：

利用分子束外延技术(MBE)生长了一个分布很不均匀的InGaAs量子点样品.样品不同位置InGaAs的沉积量不同导致点的大小、密度分布不均匀.这种分布恰恰对应着量子点形成的不同时

【作者】

：

于理科徐波王占国金鹏赵昶雷文胡良均刘宁

【机构】

：

中国科学院半导体研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年z1期

【关键词】

：

量子点 AFM PL谱

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利用分子束外延技术(MBE)生长了一个分布很不均匀的InGaAs量子点样品.样品不同位置InGaAs的沉积量不同导致点的大小、密度分布不均匀.这种分布恰恰对应着量子点形成的不同时期,因此仅通过一个样品就可以把量子点的生长演变全过程展示出来.AFM和PL测试表明:随着InGaAs沉积量的增加,量子点的密度显著增加,量子点的尺寸分布渐趋均匀并倾向于一平衡值.

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