【摘 要】
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W-Cu复合材料因具有低膨胀系数、高强度及较好的导电导热性能而广泛用作电子封装、电极、电触头和炮弹的罩壳等材料.W-Cu复合材料传统制备方法在致密化、微观组织的均匀性等
【机 构】
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南昌大学材料科学与工程学院,江西南昌330031
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W-Cu复合材料因具有低膨胀系数、高强度及较好的导电导热性能而广泛用作电子封装、电极、电触头和炮弹的罩壳等材料.W-Cu复合材料传统制备方法在致密化、微观组织的均匀性等方面难以兼顾,导致材料的导电导热性能不足,难以满足现代电子工业的要求.本研究以W粉及W粉表面碳化得到的WC@W粉为原料,采用复合电镀技术制备了W-Cu和WC@W-Cu复合材料.结果 表明,W-Cu复合材料表面粗糙,微观组织存在孔洞,而WC@W-Cu复合材料晶粒细化,微观结构组织均匀、致密.WC@W-Cu复合材料的W含量(质量分数)为43.6％,硬度(HV)达2050 MPa,相对密度为99.3％,电导率可达54.6 MS/m.采用WC@W纳米粉,电镀制备的WC@W-Cu复合材料不仅增加了W含量,明显提高了硬度,而且在相对密度和导电性方面也优于W-Cu复合材料.
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