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半导体微簇光致发光现象是目前物理学的研究热点之一.从光电子能谱的基本原理出发,提出了一种确定IVA族元素半导体纳米微簇的表面氧化层厚度的有效方法并应用于对Ge微簇构成纳米组装薄膜的光学性质和光致发光机制的解释.直径为10 nm的Ge微簇由2 nm厚的表面氧化层及直径为6 nm的未氧化中心构成.该中心具有强的量子约束效应导致的基本带隙展宽(光学吸收边蓝移),氧化层、中心及其组合在紫光的激发下产生复杂的光致发光现象.实验结果与文中所提出的理论模型吻合.