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为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe／Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响，使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错，和导致30°部分位错运动的弯结结构，以及位错芯重构缺陷（RD）与弯结组合而生成的弯结-RD结构．通过分子动力学模拟，使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动，得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型，并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结．RD迁移过程中势垒高度，发现弯结．RD的迁移能力要高于纯弯结结构