一种新的GCT门-阴极图形的设计方法

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：LZLZ

【摘要】

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在分析门极可关断晶闸管（GTO）和门极换流晶闸管（GCT）门-阴极结构的基础上,依据GCT关断时的换流机理,提出了一种新的GCT门-阴极图形的设计方法.与现有的GCT门-阴极图形相比,用该方

【作者】

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王彩琳高勇

【机构】

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西安理工大学电子工程系

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年7期

【关键词】

：

电力半导体器件门极换流晶闸管门极可关断晶闸管门-阴极结构 power semiconductor devices gate commutated thyr

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在分析门极可关断晶闸管（GTO）和门极换流晶闸管（GCT）门-阴极结构的基础上,依据GCT关断时的换流机理,提出了一种新的GCT门-阴极图形的设计方法.与现有的GCT门-阴极图形相比,用该方法设计的门-阴极图形,在保证开关过程中电流均匀分布的前提下,可增加GCT的有效阴极面积,减小热阻,并提高电流容量.

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