【摘 要】
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掺Fe半绝缘 InP材料室温下注入Si~+,在 650℃无包封退火15 min,辐射损伤已可消除;但是Si的充分电激活则需要较高的退火温度.无包封下即使在 750℃退火 30 min,样品表面貌相也
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所
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掺Fe半绝缘 InP材料室温下注入Si~+,在 650℃无包封退火15 min,辐射损伤已可消除;但是Si的充分电激活则需要较高的退火温度.无包封下即使在 750℃退火 30 min,样品表面貌相也未被破坏.用能量E=150keV注入Si~+、剂量φ为1× 10~(13)、5 × 10~(13)和1×10~(14)cm~(-2)的样品.在750℃无包封退火15min,最高载流子浓度n_s分别是8×10~(13)、3.9×10~(13)和 6.3 ×10~(13)cm~(-2),其中φ为 1×10~(13)cm~(-2)的样品,霍耳迁移率μ_n为 2100 cm~2/V·scc.
The Fe-doped semi-insulating InP materials were Si + implanted at room temperature and annealed at 650 ℃ for 15 min, which could eliminate the radiation damage, but sufficient electrical activation of Si required high annealing temperature. After annealed at 30 ℃ for 30 min, the topography of the sample surface was not damaged, and the dose φ was 1 × 10 ~ (13), 5 × 10 ~ (13) and 1 × 10 ~ (14) cm ~ (-2) at 750 ℃ for 15min, the highest carrier concentration n_s is 8 × 10 ~ (13), 3.9 × 10 ~ (13) and 6.3 × 10 ~ (13) cm ~ (-2), where φ is 1 × 10 ~ (13) cm ~ (-2), Hall mobility μ_n is 2100 cm ~ 2 / V · scc.
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