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提出了一种改进型的基于亚微米工艺中ESD保护电路，它由互补式电容实现。结构与工艺简单。电路采用0．6μmlP2M CMOS工艺进行了验证，结果表明，ESD失效电压特性有较明显改善。可达3000V以上。
一种新型互补电容耦合ESD保护电路
【摘 要】
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提出了一种改进型的基于亚微米工艺中ESD保护电路，它由互补式电容实现。结构与工艺简单。电路采用0．6μmlP2M CMOS工艺进行了验证，结果表明，ESD失效电压特性有较明显改善。可达30
【机 构】
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西安微电子技术研究所
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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2007年11期
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